难以高枕无忧！韩国专家警告：中韩HBM技术差距仅2年

嘉泉大学半导体学院特聘教授金容锡与汉阳大学全球文化通商学部教授白瑞仁给出的判断均为3年。算上良率、DDR5等通用DRAM市场保持警觉——中国一旦通过扩产拿到通用产品的份额与利润，

更值得留意的是作为HBM追赶基础的通用存储器。认为两者之间存在约6年的时差。中韩相差1至2代；但把量产良率、就能把这些收益再投入先进产品研发。实际生态差距为4至5年。

TechInsights高级副总裁崔正东的结论更为细致：仅从产品世代看，差距已缩小至2年左右，

金容锡提醒，中韩HBM技术差距被估算在2年至6年之间。